Nº ref. fabric.

MOSFET, N-Canal onsemi FDV303N, VDSS 25 V, ID 680 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 121-2747
Número de artículo Distrelec:: 304-36-911
Nº ref. fabric.:: FDV303N
Fabricante:: onsemi

MOSFET, N-Canal onsemi FDV303N, VDSS 25 V, ID 680 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:: 121-2747
Número de artículo Distrelec:: 304-36-911
Nº ref. fabric.:: FDV303N
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	680mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	25V
	Encapsulado	SOT-23
	Serie	UniFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	450mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	-1.6V
	Disipación de potencia máxima Pd	350mW
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1.64nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	930μm
	Anchura	1.3mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	2.92mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 680mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V
	Encapsulado SOT-23
	Serie UniFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf -1.6V
	Disipación de potencia máxima Pd 350mW
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.64nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 930μm
	Anchura 1.3mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 2.92mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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