MOSFET Infineon IRF7854TRPBF, VDSS 80 V, ID 10 A, SOIC de 8 pines

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

13,4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

2,5 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

5mm

Ancho

4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

27 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Serie

HEXFET

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

1.5mm