MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF9335TRPBF, VDSS 30 V, ID 5.4 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
130-0969
Nº ref. fabric.:
IRF9335TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.1nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Anchura

4 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


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