MOSFET, Tipo P-Canal Texas Instruments CSD25404Q3T, VDSS 20 V, ID 104 A, Mejora, VSON de 8 pines
- Código RS:
- 133-0156
- Nº ref. fabric.:
- CSD25404Q3T
- Fabricante:
- Texas Instruments
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
6,61 €
(exc. IVA)
8,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 100 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | 1,322 € | 6,61 € |
| 15 - 45 | 1,056 € | 5,28 € |
| 50 - 245 | 0,926 € | 4,63 € |
| 250 - 495 | 0,806 € | 4,03 € |
| 500 + | 0,72 € | 3,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 133-0156
- Nº ref. fabric.:
- CSD25404Q3T
- Fabricante:
- Texas Instruments
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Texas Instruments | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 104A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | VSON | |
| Serie | NexFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 96W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Texas Instruments | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 104A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado VSON | ||
Serie NexFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 96W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N NexFET™, Texas Instruments
Transistores MOSFET, Texas Instruments
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, VSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, VSON-CLIP
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, VSON-CLIP
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, VSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, VSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, VSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, VSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, VSON de 8 pines