MOSFET, Tipo N-Canal Texas Instruments, VDSS 100 V, ID 110 A, Mejora, VSON de 8 pines

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Código RS:
162-8145
Nº ref. fabric.:
CSD19531Q5AT
Fabricante:
Texas Instruments
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Marca

Texas Instruments

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

NexFET

Encapsulado

VSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5 mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

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