MOSFET, Tipo N-Canal Texas Instruments CSD19531Q5AT, VDSS 100 V, ID 110 A, Mejora, VSON de 8 pines

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

8,98 €

(exc. IVA)

10,865 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1140 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 +1,796 €8,98 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
823-9259
Nº ref. fabric.:
CSD19531Q5AT
Fabricante:
Texas Instruments
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Texas Instruments

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

VSON

Serie

NexFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.1mm

Anchura

5 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

Enlaces relacionados