MOSFET, N-Canal Texas Instruments, VDSS 80 V, ID 157 A, Mejora, VSON de 8 pines

No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
168-4940
Nº ref. fabric.:
CSD19502Q5BT
Fabricante:
Texas Instruments
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Texas Instruments

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

157A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

NexFET

Encapsulado

VSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

130nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

195W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.1mm

Anchura

5.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.05mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments


Transistores MOSFET, Texas Instruments


Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.