MOSFET, Tipo N-Canal Texas Instruments, VDSS 80 V, ID 157 A, Mejora, VSON de 8 pines

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Código RS:
168-4940
Nº ref. fabric.:
CSD19502Q5BT
Fabricante:
Texas Instruments
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Marca

Texas Instruments

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

157A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

VSON

Serie

NexFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

195W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

130nC

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.05mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.1mm

Anchura

5.1 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments


Transistores MOSFET, Texas Instruments


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