MOSFET Vishay SIR158DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, config. Simple

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Código RS:
134-9718
Nº ref. fabric.:
SIR158DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

60 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

83 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

87 nC a 10 V

Longitud

6.25mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

5.26mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1.12mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor



Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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