MOSFET Vishay SIR158DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, config. Simple

Código RS:: 134-9718
Nº ref. fabric.:: SIR158DP-T1-RE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIR158DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, config. Simple

999999 Disponible para entrega en 24 horas

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

3,046 €

(exc. IVA)

3,686 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 +	3,046 €	15,23 €

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Código RS:: 134-9718
Nº ref. fabric.:: SIR158DP-T1-RE3
Fabricante:: Vishay

SiR158DP, N-Channel 30V MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK SO-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,3 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	83 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	5.26mm
Longitud	6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	87 nC a 10 V
Altura	1.12mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.1V

MOSFET Vishay SIR158DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, config. Simple

MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor