MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 17 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
141-2081
Nº ref. fabric.:
NVD5C688NLT4G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

NVD5C688NL-D

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

18W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.38mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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