MOSFET onsemi FQP17P10, VDSS 100 V, ID 16.5 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 145-4520
- Nº ref. fabric.:
- FQP17P10
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 145-4520
- Nº ref. fabric.:
- FQP17P10
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 100 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 16.5 A | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 190 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30 V, +30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 10 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | QFET | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 100 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 16.5 A | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 190 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30 V, +30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 10 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie QFET | ||
QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Enlaces relacionados
- MOSFET onsemi VDSS 100 V JEDEC TO-220AB 1, config. Simple
- MOSFET Infineon VDSS 55 V Mejora de 3 pines config. Simple
- MOSFET Infineon VDSS 55 V JEDEC TO-220AB 1, config. Simple
- MOSFET Infineon VDSS 150 V JEDEC TO-220AB 1, config. Simple
- MOSFET Vishay VDSS 500 V JEDEC TO-220AB 1, config. Simple
- MOSFET Infineon VDSS 150 V JEDEC TO-220AB 1, config. Simple
- MOSFET Vishay VDSS 650 V JEDEC TO-220AB 1, config. Simple
- MOSFET Infineon VDSS 75 V JEDEC TO-220AB 1, config. Simple