MOSFET Vishay, N-Canal IRFB9N65APBF, VDSS 650 V, ID 8.5 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 541-1938
- Nº ref. fabric.:
- IRFB9N65APBF
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 541-1938
- Nº ref. fabric.:
- IRFB9N65APBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 930mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 930mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET de canal N, 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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