MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 330 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 145-8801
- Nº ref. fabric.:
- BSS83PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,09 € | 270,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,086 € | 258,00 € |
| 15000 + | 0,08 € | 240,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 145-8801
- Nº ref. fabric.:
- BSS83PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 330mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.38nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 360mW | |
| Tensión directa Vf | -1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.3 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 330mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.38nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 360mW | ||
Tensión directa Vf -1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.3 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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