MOSFET de potencia, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 60 A, Mejora, TO-3PN de 3 pines

No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
146-1755
Nº ref. fabric.:
IXFQ60N50P3
Fabricante:
IXYS
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

Polar3

Encapsulado

TO-3PN

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1040W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

96nC

Tensión directa Vf

1.4V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

20.3mm

Anchura

4.9 mm

Longitud

15.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
US

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™


Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)

Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Enlaces relacionados