MOSFET DiodesZetex, N-Canal DMTH6016LSD-13, VDSS 60 V, ID 7.6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 146-4775
- Nº ref. fabric.:
- DMTH6016LSD-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
9,55 €
(exc. IVA)
11,56 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 120 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 1380 unidad(es) más para enviar a partir del 11 de noviembre de 2026
- Disponible(s) 2500 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de diciembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,955 € | 9,55 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 146-4775
- Nº ref. fabric.:
- DMTH6016LSD-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | DMT | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 28mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 700mV | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.4W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 4.95mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 3.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie DMT | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 28mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 700mV | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.4W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 4.95mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 3.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Enlaces relacionados
- MOSFET DiodesZetex VDSS 60 V SOIC 2, config. Doble
- MOSFET de potencia DiodesZetex VDSS 20 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET DiodesZetex Tipo P-Canal DMC3028LSDX-13 ID 7.6 A Mejora de 8 pines config.
- MOSFET de potencia DiodesZetex VDSS 20 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET DiodesZetex Tipo P-Canal ID 7.6 A Mejora de 8 pines config. Aislado
- MOSFET DiodesZetex VDSS 30 V SOIC 1, config. Simple
- MOSFET de potencia DiodesZetex VDSS 30 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET DiodesZetex VDSS 60 V SOIC 2, config. Doble