MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia BUK7208-40B,118, VDSS 40 V, ID 75 A, Mejora, TO-252 de 4 pines
- Código RS:
- 151-3421
- Nº ref. fabric.:
- BUK7208-40B,118
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 151-3421
- Nº ref. fabric.:
- BUK7208-40B,118
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | BUK720840B | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 185°C | |
| Altura | 2.38mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie BUK720840B | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 185°C | ||
Altura 2.38mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
FET de nivel estándar TrenchMOS de canal N, Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de nivel lógico en un encapsulado de plástico usando tecnología TrenchMOS. Este producto se ha diseñado y calificado para el estándar AEC apropiado para usar en aplicaciones críticas de automoción.
Bajas pérdidas de conducción gracias a la baja resistencia en funcionamiento
Compatible con Q101
Adecuados para fuentes de accionamiento de puerta de nivel estándar
Adecuado para entornos térmicos exigentes con un índice hasta 185 °C
Cargas de 12 V
Sistemas de automoción
Conmutación de potencia de uso general
Motores, lámparas y solenoides
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