MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 120 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
165-5811
Nº ref. fabric.:
BSP125H6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

SOT-223

Serie

SIPMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.8W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.5mm

Anchura

3.5 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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