MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 120 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 165-5811
- Nº ref. fabric.:
- BSP125H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
355,00 €
(exc. IVA)
430,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 15 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,355 € | 355,00 € |
| 2000 - 2000 | 0,338 € | 338,00 € |
| 3000 + | 0,316 € | 316,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-5811
- Nº ref. fabric.:
- BSP125H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie SIPMOS | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 600 V Reducción, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 600 V Reducción, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 600 V Reducción, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 5 A, SOT-223
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET Infineon IRLL024ZTRPBF ID 5 A, SOT-223