MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.375,00 €

(exc. IVA)

1.675,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 2500 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,55 €1.375,00 €

*precio indicativo

Código RS:
165-6284
Nº ref. fabric.:
SUD50N04-8M8P-4GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0088Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Disipación de potencia máxima Pd

48.1W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.81V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.73mm

Altura

2.38mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TW

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados