MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 6.2 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

977,50 €

(exc. IVA)

1.182,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 22 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,391 €977,50 €

*precio indicativo

Código RS:
165-6285
Nº ref. fabric.:
SQ4431EY-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOIC

Serie

SQ Rugged

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

6W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4 mm

Altura

1.55mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados