MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ4431EY-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 6.2 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
819-3920
Nº ref. fabric.:
SQ4431EY-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SQ Rugged

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

6W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4 mm

Altura

1.55mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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