MOSFET Vishay SI1330EDL-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 240 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-6902
Nº ref. fabric.:: SI1330EDL-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI1330EDL-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 240 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,166 €

(exc. IVA)

0,201 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,166 €	498,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-6902
Nº ref. fabric.:: SI1330EDL-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	240 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	SOT-323
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	280 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	1.35mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Longitud	2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,4 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1mm