MOSFET, Tipo P-Canal Vishay TP0610K-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 185 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 787-9018
- Nº ref. fabric.:
- TP0610K-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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*precio indicativo
- Código RS:
- 787-9018
- Nº ref. fabric.:
- TP0610K-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 185mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TP0610K | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 350mW | |
| Tensión directa Vf | -1.4V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.02mm | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 185mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TP0610K | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 350mW | ||
Tensión directa Vf -1.4V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.02mm | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Libre de halógenos
Definición
MOSFET de potencia TrenchFET®
Conmutación de lado alto
Baja resistencia de conexión: 6 Ω
Umbral bajo: –2 V (típ.)
Velocidad de conmutación rápida: 20 ns (típ.)
Baja capacitancia de entrada: 20 pF (típ.)
Protección ESD de 2.000 V
APLICACIONES
Controladores: relés, solenoides, lámparas, martillos, pantalla,
memorias, transistores, etc.
Sistemas alimentados por batería
Circuitos de convertidores de alimentación
Relés de estado sólido
VENTAJAS
Interruptores de accionamiento sencillo
Baja tensión de offset (error)
Funcionamiento de baja tensión
Circuitos de alta velocidad
Accionamiento sencillo sin búfer
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