MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFU3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 165-7585
- Nº ref. fabric.:
- IRFU3607PBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 75 unidades)*
53,025 €
(exc. IVA)
64,125 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4425 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,707 € | 53,03 € |
| 150 - 300 | 0,689 € | 51,68 € |
| 375 - 675 | 0,67 € | 50,25 € |
| 750 - 1425 | 0,653 € | 48,98 € |
| 1500 + | 0,637 € | 47,78 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-7585
- Nº ref. fabric.:
- IRFU3607PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 2.39 mm | |
| Altura | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado IPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 2.39 mm | ||
Altura 6.22mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MX
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, IPAK de 3 pines