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MOSFET Infineon IRFU3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-7585
Nº ref. fabric.:: IRFU3607PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFU3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple

5100 Disponible para entrega en 24/48 horas

Precio unitario (En un Tubo de 75)

1,147 €

(exc. IVA)

1,388 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
75 - 75	1,147 €	86,025 €
150 - 300	0,929 €	69,675 €
375 - 675	0,86 €	64,50 €
750 - 1425	0,803 €	60,225 €
1500 +	0,746 €	55,95 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-7585
Nº ref. fabric.:: IRFU3607PBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: MX

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	75 V
Tipo de Encapsulado	IPAK (TO-251)
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	9 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	140 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	56 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	2.39mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Longitud	6.73mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	6.22mm