MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 1.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 166-1014
- Nº ref. fabric.:
- BSP372NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,34 € | 340,00 € |
| 2000 - 2000 | 0,323 € | 323,00 € |
| 3000 + | 0,303 € | 303,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 166-1014
- Nº ref. fabric.:
- BSP372NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 270mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.5mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 270mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.5mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP372NH6327XTSA1
Características y ventajas:
• La baja RDS(on) de 270 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• Corriente de drenaje continua de 1,8 A para un manejo constante de la carga
• La carga de puerta típica de 9,5 nC permite una respuesta de accionamiento rápida
• La disipación de potencia de 1,8 W gestiona el estrés térmico en SOT‐223
• El accionamiento de puerta máximo de 20 V permite un diseño de accionamiento de puerta flexible
Aplicaciones
• Ideal para convertidores dc-dc en módulos de potencia compactos
• Se utiliza con controladores de motor que requieren conmutación de alta tensión
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y circuitos de carga
• Se utiliza para conmutación de uso general en placas de control industriales
¿Qué encapsulado permite una fácil soldadura y transferencia térmica?
¿Cómo resiste las condiciones ambientales extremas?
¿Qué límites de tensión de puerta deben observar los diseñadores?
¿Qué tipo de canal y modo utiliza?
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