MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP295H6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 1.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
445-2269
Nº ref. fabric.:
BSP295H6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SIPMOS

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

300mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

1.8W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.6mm

Longitud

6.5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.5 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 1,8 A, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP295H6327XTSA1


Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en automatización y electrónica. Su configuración de canal N combinada con un eficiente diseño de montaje en superficie permite un control eficaz de la corriente, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones industriales. Admite una tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V, lo que garantiza un rendimiento constante en diversos proyectos.

Características y ventajas


• Maneja continuamente una corriente de drenaje de 1,8A

• Resistencia de drenaje-fuente máxima baja de 300mΩ

• Amplio rango de tensión de la fuente de puerta de -20 V a +20 V

• Cumplen la norma de fiabilidad para automoción AEC-Q101

Aplicaciones


• Sistemas de gestión de la energía para un control eficaz de la producción

• Accionamientos de motor para operaciones de conmutación fiables

• Amplificación de señales en diversos dispositivos electrónicos

• Unidades de control electrónico del automóvil

¿Cuál es la disipación de potencia típica del componente?


Puede disipar hasta 1,8 W en las condiciones especificadas para una gestión eficaz del calor durante el funcionamiento.

¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al rendimiento?


La tensión umbral de puerta máxima es de 1,8 V, lo que permite al MOSFET alcanzar un rendimiento óptimo a bajos niveles de entrada.

¿Puede este componente soportar corrientes de drenaje pulsadas?


Sí, está preparado para una corriente de drenaje pulsada de hasta 6 A, lo que le permite gestionar eficazmente las condiciones transitorias.

¿Qué opciones de envasado existen?


El MOSFET está disponible en un encapsulado de montaje superficial SOT-223, optimizado para diseños que ahorran espacio.

¿Cumple el dispositivo las normas medioambientales?


Presenta un revestimiento de plomo sin Pb y cumple la normativa RoHS, por lo que satisface las normas medioambientales actuales.

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