MOSFET Infineon BSP295H6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 1,8 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 445-2269
Nº ref. fabric.:: BSP295H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSP295H6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 1,8 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

480 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

0,864 €

(exc. IVA)

1,045 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 45	0,864 €	4,32 €
50 - 120	0,768 €	3,84 €
125 - 245	0,716 €	3,58 €
250 - 495	0,664 €	3,32 €
500 +	0,612 €	3,06 €

*precio indicativo

Código RS:: 445-2269
Nº ref. fabric.:: BSP295H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Serie	SIPMOS®
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	300 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.8V
Disipación de Potencia Máxima	1,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	6.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	3.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	14 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.6mm