MOSFET, N-Canal Infineon BSP295H6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 1.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 445-2269
- Nº ref. fabric.:
- BSP295H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 445-2269
- Nº ref. fabric.:
- BSP295H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 300mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.5mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.5mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 1,8 A, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP295H6327XTSA1
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en automatización y electrónica. Su configuración de canal N combinada con un eficiente diseño de montaje en superficie permite un control eficaz de la corriente, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones industriales. Admite una tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V, lo que garantiza un rendimiento constante en diversos proyectos.
Características y ventajas
• Maneja continuamente una corriente de drenaje de 1,8A
• Resistencia de drenaje-fuente máxima baja de 300mΩ
• Amplio rango de tensión de la fuente de puerta de -20 V a +20 V
• Cumplen la norma de fiabilidad para automoción AEC-Q101
Aplicaciones
• Sistemas de gestión de la energía para un control eficaz de la producción
• Accionamientos de motor para operaciones de conmutación fiables
• Amplificación de señales en diversos dispositivos electrónicos
• Unidades de control electrónico del automóvil
¿Cuál es la disipación de potencia típica del componente?
Puede disipar hasta 1,8 W en las condiciones especificadas para una gestión eficaz del calor durante el funcionamiento.
¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al rendimiento?
La tensión umbral de puerta máxima es de 1,8 V, lo que permite al MOSFET alcanzar un rendimiento óptimo a bajos niveles de entrada.
¿Puede este componente soportar corrientes de drenaje pulsadas?
Sí, está preparado para una corriente de drenaje pulsada de hasta 6 A, lo que le permite gestionar eficazmente las condiciones transitorias.
¿Qué opciones de envasado existen?
El MOSFET está disponible en un encapsulado de montaje superficial SOT-223, optimizado para diseños que ahorran espacio.
¿Cumple el dispositivo las normas medioambientales?
Presenta un revestimiento de plomo sin Pb y cumple la normativa RoHS, por lo que satisface las normas medioambientales actuales.
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