MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ097N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

Código RS:: 170-2342
Nº ref. fabric.:: BSZ097N10NS5ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ097N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
10 - 40	0,947 €	9,47 €
50 - 90	0,767 €	7,67 €
100 - 240	0,719 €	7,19 €
250 - 490	0,663 €	6,63 €
500 +	0,616 €	6,16 €

*precio indicativo

Código RS:: 170-2342
Nº ref. fabric.:: BSZ097N10NS5ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	TSDSON
	Serie	BSZ097N10NS5
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	13mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.9V
	Disipación de potencia máxima Pd	69W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	22nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1.1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3.4mm
	Anchura	3.4 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado TSDSON
	Serie BSZ097N10NS5
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.9V
	Disipación de potencia máxima Pd 69W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1.1mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3.4mm
	Anchura 3.4 mm
	Estándar de automoción No

OptiMOS™ 5 100V, la última generación de Infineon de MOSFET de potencia, está especialmente diseñado para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidores y telecomunicaciones. Además, estos dispositivos se pueden utilizar también en otras aplicaciones industriales como energía solar, accionamientos de baja tensión y adaptadores. Dentro de los siete encapsulados diferentes, los nuevos MOSFET OptiMOS™ 5 100V ofrecen el R DS(on) más bajo del sector

Optimizado para rectificación síncrona

Ideal para alta frecuencia de conmutación

Reducción de capacitancia de salida hasta un 44 %

Reducción de R DS(on) hasta el 44 %

Ventajas:

Eficiencia del sistema más alta

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Requiere menos conexión en paralelo

Mayor densidad de potencia

Sobreimpulso de baja tensión

Aplicaciones de destino:

Telecom

Servidor

Cargador

Accionamientos de baja tensión

Vehículos eléctricos ligeros

Adaptador

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ097N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

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