MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ097N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 170-2342
- Nº ref. fabric.:
- BSZ097N10NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,26 € | 12,60 € |
| 50 - 90 | 1,02 € | 10,20 € |
| 100 - 240 | 0,958 € | 9,58 € |
| 250 - 490 | 0,882 € | 8,82 € |
| 500 + | 0,82 € | 8,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 170-2342
- Nº ref. fabric.:
- BSZ097N10NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | BSZ097N10NS5 | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie BSZ097N10NS5 | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
OptiMOS™ 5 100V, la última generación de Infineon de MOSFET de potencia, está especialmente diseñado para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidores y telecomunicaciones. Además, estos dispositivos se pueden utilizar también en otras aplicaciones industriales como energía solar, accionamientos de baja tensión y adaptadores. Dentro de los siete encapsulados diferentes, los nuevos MOSFET OptiMOS™ 5 100V ofrecen el R DS(on) más bajo del sector
Optimizado para rectificación síncrona
Ideal para alta frecuencia de conmutación
Reducción de capacitancia de salida hasta un 44 %
Reducción de R DS(on) hasta el 44 %
Ventajas:
Eficiencia del sistema más alta
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Requiere menos conexión en paralelo
Mayor densidad de potencia
Sobreimpulso de baja tensión
Aplicaciones de destino:
Telecom
Servidor
Cargador
Accionamientos de baja tensión
Vehículos eléctricos ligeros
Adaptador
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