MOSFET, N-Canal Vishay SQD50N05-11L_GE3, VDSS 50 V, ID 50 A, TO-252, Mejora de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 170-8302
- Nº ref. fabric.:
- SQD50N05-11L_GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 170-8302
- Nº ref. fabric.:
- SQD50N05-11L_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 50V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB, Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.38mm | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101, AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB, Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.38mm | ||
Anchura 6.22mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101, AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal N, serie robusta SQ de automoción, Vishay Semiconductor
CUADRADOS
Ventajas de los MOSFET de la serie SQ Rugged
• Certificación AEC-Q101
• Temperatura de unión de hasta +175 °C
• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia de conexión
• Opciones de encapsulado innovadoras que ahorran espacio
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 50 V TO-252 config. Simple
- MOSFET Vishay VDSS 60 V TO-252 1, config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 25 V TO-252 1, config. Simple
- MOSFET Vishay VDSS 500 V TO-252 config. Simple
- MOSFET onsemi VDSS 40 V TO-252 1, config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 100 V TO-252 1, config. Simple
- MOSFET Infineon IRFR3707ZTRPBF ID 56 A , config. Simple
- MOSFET Infineon IPD90N04S304ATMA1 ID 90 A , config. Simple