MOSFET, N-Canal Vishay SQD50N05-11L_GE3, VDSS 50 V, ID 50 A, TO-252, Mejora de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 787-9493
- Nº ref. fabric.:
- SQD50N05-11L_GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 787-9493
- Nº ref. fabric.:
- SQD50N05-11L_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 50 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 50 A | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101, AEC-Q101 | |
| Altura | 2.38 mm | |
| Longitud | 6.73 mm | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB, Superficie | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 50 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 50 A | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Estándar de automoción AEC-Q101, AEC-Q101 | ||
Altura 2.38 mm | ||
Longitud 6.73 mm | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB, Superficie | ||
Serie SQ Rugged | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Anchura 6.22 mm | ||
N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.
Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs
• AEC-Q101 qualified
• Junction temperature up to +175°C
• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies
• Innovative space-saving package options
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
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