MOSFET Infineon BSC014N04LSATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Nuevas familias de productos de 40 V y 60 V que disponen del R DS(on) más bajo del sector y que también ofrecen un comportamiento de conmutación perfecto para aplicaciones de conmutación rápida. 15 % menos de R DS(on) y 31 % menos de factor de mérito (R DS(on) x Q g) comparado con dispositivos alternativos. Esto se obtiene con una tecnología de oblea delgada avanzada. Las nuevas familias de productos de 40 V y 60 V disponen no solo del R DS(on) más bajo del sector sino que también ofrecen un comportamiento de conmutación perfecto para aplicaciones de conmutación rápida. 15 % menos de R DS(on) y 31 % menos de factor de mérito (R DS(on) x Q g) comparado con dispositivos alternativos. Esto se obtiene con una tecnología de oblea delgada avanzada.

Optimizado para rectificación síncrona
15 % menos de R DS(on) que los dispositivos alternativos
31 % de mejora de FOM con respecto a dispositivos similares
Diodo similar a Schottky integrado
Libre de halógenos
Ventajas:
Eficiencia del sistema más alta
Requiere menos conexión en paralelo
Mayor densidad de potencia
Reducción de costes del sistema
Sobreimpulso de tensión muy baja
Aplicaciones de destino:
Rectificación síncrona
Micro inversor solar
Convertidores dc-dc aislados
Control de motor
Interruptores OR-ing