- Código RS:
- 178-7486
- Nº ref. fabric.:
- BSC600N25NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
4800 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 5000)
1,554 €
(exc. IVA)
1,88 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
5000 + | 1,554 € | 7.770,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-7486
- Nº ref. fabric.:
- BSC600N25NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Estado RoHS: No aplica
Datos del Producto
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 25 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 250 V |
Tipo de Encapsulado | TDSON |
Serie | OptiMOS™ 3 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 60 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Disipación de Potencia Máxima | 125 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 22 nC a 10 V |
Longitud | 6.1mm |
Material del transistor | Si |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Ancho | 5.35mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 1.1mm |
Tensión de diodo directa | 1.2V |
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