MOSFET Infineon BSC600N25NS3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 906-4303
Nº ref. fabric.:: BSC600N25NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSC600N25NS3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

4800 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

1,274 €

(exc. IVA)

1,542 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 +	1,274 €	6,37 €

*precio indicativo

Código RS:: 906-4303
Nº ref. fabric.:: BSC600N25NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

Datos del Producto

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	250 V
Tipo de Encapsulado	TDSON
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	60 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	125 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	5.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	22 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	6.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.1mm
Tensión de diodo directa	1.2V