MOSFET de potencia onsemi, N-Canal NVMFD5C466NLT1G, VDSS 40 V, ID 52 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 172-3351
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD5C466NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 172-3351
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD5C466NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 52A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | NVMFD5C466NL | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16nC | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | PPAP capable, AEC-Q101, RoHS | |
| Anchura | 5.1mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 52A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie NVMFD5C466NL | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16nC | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares PPAP capable, AEC-Q101, RoHS | ||
Anchura 5.1mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (5x6 mm)
Compact Design
Low rDS(on)
Minimize Conduction Loss
Low QG and Capacitance
Minimize Driver Losses
NVMFD5C446NLWF − Wettable Flank Option
Enhanced Optical Inspection
PPAP Capable
Applications
Solenoid driver
Low side / high side driver
Automotive engine controllers
Antilock braking systems
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