Nº ref. fabric.

MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NVMFD5C466NLT1G, VDSS 40 V, ID 52 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 172-3351
Nº ref. fabric.:: NVMFD5C466NLT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NVMFD5C466NLT1G, VDSS 40 V, ID 52 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:: 172-3351
Nº ref. fabric.:: NVMFD5C466NLT1G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	52A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Serie	NVMFD5C466NL
	Encapsulado	DFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	7.4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.9V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	16nC
	Disipación de potencia máxima Pd	40W
	Configuración de transistor	Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	5.1 mm
	Longitud	6.1mm
	Altura	1.05mm
	Certificaciones y estándares	PPAP capable, AEC-Q101, RoHS
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 52A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Serie NVMFD5C466NL
	Encapsulado DFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.9V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16nC
	Disipación de potencia máxima Pd 40W
	Configuración de transistor Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 5.1 mm
	Longitud 6.1mm
	Altura 1.05mm
	Certificaciones y estándares PPAP capable, AEC-Q101, RoHS
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.

Tamaño pequeño (5x6 mm)

Diseño compacto

Baja rDS(on)

Minimiza pérdidas de conducción

Baja QG y capacitancia

Minimiza las pérdidas de controlador

NVMFD5C446NLWF − Opción de flanco sumergible

Inspección óptica mejorada

Capacidad PPAP

Aplicaciones

Driver de solenoide

Controlador de lado bajo / lado alto

Controladores de motor de automoción

Sistemas de frenado antibloqueo

MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NVMFD5C466NLT1G, VDSS 40 V, ID 52 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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