MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 127 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 178-4296
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD5C446NT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 178-4296
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD5C446NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 127A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89W | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 175°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.05mm | |
| Longitud | 5.1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 127A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89W | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 175°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.05mm | ||
Longitud 5.1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flancos sumergibles disponible para inspección óptica mejorada. Adecuado para automoción.
Características
Baja resistencia de encendido
Capacidad de corriente alta
Capacidad PPAP
NVMFD5C446NWF - Opción de flanco sumergible
Ventajas
Mínimas pérdidas de conducción
Rendimiento de carga resistente
Protección contra fallos por sobretensión
Adecuado para aplicaciones de automoción
Inspección óptica mejorada
Aplicaciones
Driver de solenoide
Controlador de lado bajo / lado alto
Productos finales
Controladores de motor de automoción
Sistemas de frenado antibloqueo
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