MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 29 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 178-4299
Nº ref. fabric.:: NVMFD5C478NLT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 29 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:: 178-4299
Nº ref. fabric.:: NVMFD5C478NLT1G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	29A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	DFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	14.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.3nC
	Tensión directa Vf	0.84V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	23W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	175°C
	Configuración de transistor	Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Altura	1.05mm
	Anchura	6.1 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	5.1mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 29A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado DFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.3nC
	Tensión directa Vf 0.84V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 23W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 175°C
	Configuración de transistor Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Altura 1.05mm
	Anchura 6.1 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 5.1mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción AEC-Q101

COO (País de Origen):: MY

MOSFET de alimentación para automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico. Opción de flancos sumergibles disponible para inspección óptica mejorada. Adecuado para automoción.

Características

Baja resistencia de encendido

Capacidad de corriente alta

Capacidad PPAP

NVMFD5C478NLWF - Producto con flancos sumergibles

Ventajas

Mínimas pérdidas de conducción

Rendimiento de carga resistente

Protección contra fallos por sobretensión

Adecuado para aplicaciones de automoción

Inspección óptica mejorada

Aplicaciones

Driver de solenoide

Controlador de lado bajo / lado alto

Productos finales

Controladores de motor de automoción

Sistemas de frenado antibloqueo

MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 29 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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