MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NVMFD5C478NLT1G, VDSS 40 V, ID 29 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
178-4470
Nº ref. fabric.:
NVMFD5C478NLT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.3nC

Tensión directa Vf

0.84V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

175°C

Disipación de potencia máxima Pd

23W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Altura

1.05mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.1mm

Anchura

6.1 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY
MOSFET de alimentación para automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico. Opción de flancos sumergibles disponible para inspección óptica mejorada. Adecuado para automoción.

Características

Baja resistencia de encendido

Capacidad de corriente alta

Capacidad PPAP

NVMFD5C478NLWF - Producto con flancos sumergibles

Ventajas

Mínimas pérdidas de conducción

Rendimiento de carga resistente

Protección contra fallos por sobretensión

Adecuado para aplicaciones de automoción

Inspección óptica mejorada

Aplicaciones

Driver de solenoide

Controlador de lado bajo / lado alto

Productos finales

Controladores de motor de automoción

Sistemas de frenado antibloqueo

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