MOSFET onsemi NVMFD5C462NT1G, VDSS 40 V, ID 70 A, DFN de 8 pines, 2elementos
- Código RS:
- 178-4297
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD5C462NT1G
- Fabricante:
- onsemi
1500 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1500)
1,137 €
(exc. IVA)
1,376 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 1500 + | 1,137 € | 1.705,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-4297
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD5C462NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- MY
Datos del Producto
MOSFET de alimentación para automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico. Opción de flancos sumergibles disponible para inspección óptica mejorada. Adecuado para automoción.
Características
Baja resistencia de encendido
Capacidad de corriente alta
Ventajas
Mínimas pérdidas de conducción
Rendimiento de carga resistente
Protección contra fallos por sobretensión
Adecuado para aplicaciones de automoción
Aplicaciones
Driver de solenoide
Controlador de lado bajo / lado alto
Productos finales
Controladores de motor de automoción
Sistemas de frenado antibloqueo
Baja resistencia de encendido
Capacidad de corriente alta
Ventajas
Mínimas pérdidas de conducción
Rendimiento de carga resistente
Protección contra fallos por sobretensión
Adecuado para aplicaciones de automoción
Aplicaciones
Driver de solenoide
Controlador de lado bajo / lado alto
Productos finales
Controladores de motor de automoción
Sistemas de frenado antibloqueo
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 70 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
| Tipo de Encapsulado | DFN |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5,4 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.5V |
| Disipación de Potencia Máxima | 50 W |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Ancho | 6.1mm |
| Longitud | 5.1mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 16 nC a 10 V |
| Número de Elementos por Chip | 2 |
| Altura | 1.05mm |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Enlaces relacionados
- MOSFET onsemi NVMFD5C462NT1G, VDSS 40 V, ID 70 A, DFN de 8 pines,...
- MOSFET onsemi NVMFD5C466NLWFT1G, VDSS 40 V, ID 52 A, DFN de 8...
- MOSFET onsemi NVMFD5C478NT1G, VDSS 40 V, ID 27 A, DFN de 8 pines,...
- MOSFET onsemi NVMFD5C446NLT1G, VDSS 40 V, ID 145 A, DFN de 8...
- MOSFET onsemi NVMFD5C466NLT1G, VDSS 40 V, ID 52 A, DFN de 8 pines,...
- MOSFET onsemi NVMFD5C462NLWFT1G, VDSS 40 V, ID 84 A, DFN de 8...
- MOSFET onsemi NVMFD5C470NLT1G, VDSS 40 V, ID 36 A, DFN de 8 pines,...
- MOSFET onsemi NVMFD5C446NT1G, VDSS 40 V, ID 127 A, DFN de 8 pines,...