MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 68 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
178-4301
Nº ref. fabric.:
NVMFD5C668NLT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

68A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

57.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

0.85V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Anchura

6.1mm

Longitud

5.1mm

Altura

1.05mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY
Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

NVMFD5C668NLWF − Opción de flancos sumergibles para inspección óptica mejorada

Capacidad PPAP

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