MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NVMFD5C668NLT1G, VDSS 60 V, ID 68 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
178-4503
Nº ref. fabric.:
NVMFD5C668NLT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

68A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

175°C

Tensión directa Vf

0.85V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

57.5W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Longitud

5.1mm

Altura

1.05mm

Anchura

6.1 mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY
Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

NVMFD5C668NLWF − Opción de flancos sumergibles para inspección óptica mejorada

Capacidad PPAP

Estos dispositivos no contienen plomo

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