MOSFET de potencia onsemi, N-Canal, VDSS 40 V, ID 52 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 172-3314
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD5C466NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 172-3314
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD5C466NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 40 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 52 A | |
| Encapsulado | DFN | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 8 | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Tensión directa (Vf) | 900 mV | |
| Altura | 1.05 mm | |
| Longitud | 6.1 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 7.4 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 40 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | NVMFD5C466NL | |
| Certificaciones y estándares | PPAP capable, AEC-Q101, RoHS | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 16 nC | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 40 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 52 A | ||
Encapsulado DFN | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 8 | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Tensión directa (Vf) 900 mV | ||
Altura 1.05 mm | ||
Longitud 6.1 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 7.4 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 40 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie NVMFD5C466NL | ||
Certificaciones y estándares PPAP capable, AEC-Q101, RoHS | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 16 nC | ||
Anchura 5.1 mm | ||
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (5x6 mm)
Compact Design
Low rDS(on)
Minimize Conduction Loss
Low QG and Capacitance
Minimize Driver Losses
NVMFD5C446NLWF − Wettable Flank Option
Enhanced Optical Inspection
PPAP Capable
Applications
Solenoid driver
Low side / high side driver
Automotive engine controllers
Antilock braking systems
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