MOSFET de potencia onsemi, N-Canal NVMFD5C462NT1G, VDSS 40 V, ID 70 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 178-4454
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD5C462NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
8,14 €
(exc. IVA)
9,85 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,814 € | 8,14 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-4454
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD5C462NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16nC | |
| Tensión directa Vf | 860mV | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175°C | |
| Altura | 1.05mm | |
| Anchura | 6.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16nC | ||
Tensión directa Vf 860mV | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175°C | ||
Altura 1.05mm | ||
Anchura 6.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de alimentación para automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico. Opción de flancos sumergibles disponible para inspección óptica mejorada. Adecuado para automoción.
Características
Baja resistencia de encendido
Capacidad de corriente alta
Ventajas
Mínimas pérdidas de conducción
Rendimiento de carga resistente
Protección contra fallos por sobretensión
Adecuado para aplicaciones de automoción
Aplicaciones
Driver de solenoide
Controlador de lado bajo / lado alto
Productos finales
Controladores de motor de automoción
Sistemas de frenado antibloqueo
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 40 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 80 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 80 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 40 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 40 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 40 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 60 V DFN 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 60 V DFN 2, config. Doble
