MOSFET, Tipo P-Canal Vishay IRF9610PBF, VDSS 200 V, ID 1.8 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
178-0837
Nº ref. fabric.:
IRF9610PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-220

Serie

IRF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11nC

Tensión directa Vf

-5.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.7 mm

Longitud

10.41mm

Altura

9.01mm

Estándar de automoción

No

La tecnología MOSFET de potencia Vishay es la clave de la línea Advanced de transistores MOSFET de potencia. La geometría eficiente y el procesamiento único del diseño de MOSFET de potencia logran una resistencia de estado de conexión muy baja combinada con alta transconductancia y resistencia extrema del dispositivo. El encapsulado TO-220AB es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 W.

Valor nominal de dv/dt dinámico

Fácil conexión en paralelo

Requisitos de accionamiento sencillos

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