MOSFET, Tipo P-Canal Vishay IRF9610PBF, VDSS 200 V, ID 1.8 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

41,85 €

(exc. IVA)

50,65 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Disponible
  • Disponible(s) 800 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
50 - 500,837 €41,85 €
100 - 2000,711 €35,55 €
250 +0,67 €33,50 €

*precio indicativo

Código RS:
178-0837
Nº ref. fabric.:
IRF9610PBF
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-220

Serie

IRF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-5.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

9.01mm

Anchura

4.7 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.41mm

Estándar de automoción

No

La tecnología MOSFET de potencia Vishay es la clave de la línea Advanced de transistores MOSFET de potencia. La geometría eficiente y el procesamiento único del diseño de MOSFET de potencia logran una resistencia de estado de conexión muy baja combinada con alta transconductancia y resistencia extrema del dispositivo. El encapsulado TO-220AB es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 W.

Valor nominal de dv/dt dinámico

Fácil conexión en paralelo

Requisitos de accionamiento sencillos

Enlaces relacionados