MOSFET, Tipo N-Canal Vishay IRF510SPBF, VDSS 100 V, ID 5.6 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
178-0860
Nº ref. fabric.:
IRF510SPBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Serie

IRF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

540mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

3.7W

Tensión directa Vf

2.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.3nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.67mm

Anchura

4.83 mm

Altura

4.83mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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