MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix, VDSS 250 V, ID 14.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 178-3665
- Nº ref. fabric.:
- Si7190ADP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
2.712,00 €
(exc. IVA)
3.282,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 18 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,904 € | 2.712,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-3665
- Nº ref. fabric.:
- Si7190ADP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay Siliconix | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 110mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5 mm | |
| Longitud | 5.99mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.07mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay Siliconix | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.9nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5 mm | ||
Longitud 5.99mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.07mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
TrenchFET® power MOSFET
Low thermal resistance PowerPAK® package
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines