MOSFET, N-Canal Vishay Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
Código RS:
178-3665
Nº ref. fabric.:
Si7190ADP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

14.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.99mm

Altura

1.07mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Low thermal resistance PowerPAK® package

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.