MOSFET Vishay Siliconix, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 6 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.146,00 €

(exc. IVA)

1.386,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 20 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,382 €1.146,00 €

*precio indicativo

Código RS:
178-3727
Nº ref. fabric.:
SQS966ENW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay Siliconix

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

27.8W

Tensión directa Vf

0.82V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.15mm

Altura

1.07mm

Anchura

3.15 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
MOSFET de potencia TrenchFET®

Enlaces relacionados