MOSFET Vishay Siliconix, N-Canal SQS966ENW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 6 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
178-3727
Nº ref. fabric.:
SQS966ENW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

0.82V

Disipación de potencia máxima Pd

27.8W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.07mm

Longitud

3.15mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.15mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
MOSFET de potencia TrenchFET®

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