MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix SQM40016EM_GE3, VDSS 40 V, ID 250 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
178-3926
Nº ref. fabric.:
SQM40016EM_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

250A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-263

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.001Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

245nC

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

11.3mm

Longitud

10.67mm

Anchura

4.83 mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
TW
TrenchFET® power MOSFET

Package with low thermal resistance

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