MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 250 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5484
- Nº ref. fabric.:
- IRFS7437TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-5484
- Nº ref. fabric.:
- IRFS7437TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 250A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 150nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 250A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 9.65mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 250 A, disipación de potencia máxima de 230 W - IRFS7437TRLPBF
Este MOSFET está pensado para aplicaciones de alto rendimiento que requieren una gestión eficiente de la potencia. Se utiliza en diversos sectores y ofrece características de robustez adecuadas para entornos difíciles. Su capacidad para gestionar altos niveles de corriente y tensión lo hace idóneo para aplicaciones de tecnología avanzada.
Características y ventajas
• Admite una corriente de drenaje continua máxima de 250 A para aplicaciones de alta potencia
• Ofrece una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V, lo que garantiza la fiabilidad en diferentes configuraciones
• Presenta un bajo Rds(on) de 1,4mΩ, lo que contribuye a reducir las pérdidas de potencia
• Diseñado para montaje en superficie, lo que simplifica la instalación
• Capaz de gestionar aplicaciones de conmutación rápida, lo que aumenta la eficacia
Aplicaciones
• Adecuado para motores con escobillas
• Ideal para circuitos alimentados por batería, lo que permite un uso eficiente de la energía
• Utilizado en topologías de medio puente y puente completo para un control preciso
• Utilizado en el rectificador síncrono potenciar el ahorro energético
• Aplicable en fuentes de alimentación de modo resonante para un rendimiento estable
¿Cómo se gestiona la disipación de energía durante el funcionamiento?
La disipación de potencia se gestiona mediante una potencia máxima de 230 W, lo que garantiza la estabilidad térmica en condiciones de carga elevada.
¿Qué significa el bajo valor de Rds(on)?
El bajo valor de Rds(on) minimiza la pérdida de energía durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia en aplicaciones de alta corriente.
¿Puede utilizarse en entornos con altas temperaturas?
Con un rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +175 °C, es adecuado para diversas aplicaciones, incluidos entornos de altas temperaturas.
¿Qué aspectos de la instalación debo tener en cuenta?
Garantizar una gestión térmica adecuada según las especificaciones para mantener la eficiencia y fiabilidad operativas durante aplicaciones intensas.
¿Es compatible con varios diseños de fuentes de alimentación?
Sí, el MOSFET es versátil y puede integrarse en numerosos diseños de fuentes de alimentación, lo que proporciona adaptabilidad en distintos proyectos.
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