MOSFET, N-Canal Infineon IPB64N25S320ATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 171-1959
- Nº ref. fabric.:
- IPB64N25S320ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 171-1959
- Nº ref. fabric.:
- IPB64N25S320ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | IPB64N25S3-20 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 67nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10mm | |
| Anchura | 10.25mm | |
| Altura | 4.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie IPB64N25S3-20 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 67nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10mm | ||
Anchura 10.25mm | ||
Altura 4.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC | ||
MOSFET de la serie IPB64N25S3-20 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 250 V, corriente de drenaje continua máxima de 64 A - IPB64N25S320ATMA1
Este MOSFET es un dispositivo semiconductor de canal N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación y conversión de potencia en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está fabricado para el montaje en superficie en un encapsulado TO-263, lo que lo convierte en adecuado para conjuntos compactos donde se requiere un manejo de potencia robusto.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 250 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 64 A admite cargas de corriente pesada
• La Rds(on) de 20 mΩ minimiza las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia de 300 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 67 nC garantiza un comportamiento de conmutación predecible
• La tensión nominal de puerta de 20 V mantiene los márgenes de accionamiento de puerta seguros
• La corriente de drenaje continua de 64 A admite cargas de corriente pesada
• La Rds(on) de 20 mΩ minimiza las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia de 300 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 67 nC garantiza un comportamiento de conmutación predecible
• La tensión nominal de puerta de 20 V mantiene los márgenes de accionamiento de puerta seguros
Aplicaciones
• Ideal para módulos de conversión de potencia de automoción
• Apto para convertidores dc-dc de alta corriente
• Se utiliza con etapas de inversor de accionamiento por motor
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones
• Apto para electrónica industrial de alta temperatura
• Apto para convertidores dc-dc de alta corriente
• Se utiliza con etapas de inversor de accionamiento por motor
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones
• Apto para electrónica industrial de alta temperatura
¿Qué rango térmico puede tolerar este dispositivo en entornos hostiles?
Funciona en extremos ambientales de -55 °C a 175 °C, lo que permite su uso en aplicaciones de temperatura extrema y reduce la necesidad de una amplia protección térmica.
¿Cómo influye el encapsulado en el montaje y la refrigeración de la placa de circuito impreso?
El factor de forma de montaje en superficie TO-263 proporciona una opción de montaje de perfil bajo y presenta una gran almohadilla térmica para la transferencia de calor a disipadores térmicos o fundiciones de cobre en la PCB.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se requieren para una conmutación fiable?
La potencia nominal de fuente de puerta de 20 V establece la potencia máxima permitida
los diseñadores deben seleccionar tensiones de puerta dentro de este límite y tener en cuenta la carga de puerta de 67 nC al dimensionar los controladores.
¿Cómo afecta el tipo de dispositivo a las opciones de topología del circuito?
Como MOSFET de canal N de modo de mejora, necesita un accionamiento de puerta positivo en relación con la fuente para la conducción, lo que lo convierte en adecuado para disposiciones de conmutación de lado bajo y rectificación síncrona.
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