MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB200N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 898-6870
- Nº ref. fabric.:
- IPB200N25N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 898-6870
- Nº ref. fabric.:
- IPB200N25N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 64nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 64nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.31mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 64 A, disipación de potencia máxima de 300 W - IPB200N25N3GATMA1
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Qué medidas deben tomarse para garantizar un rendimiento óptimo durante la instalación?
¿Puede utilizarse este componente en aplicaciones que requieran una conmutación rápida?
¿Existe un diseño de circuito específico recomendado para un uso óptimo?
¿Qué hay que tener en cuenta en relación con las condiciones ambientales durante el funcionamiento?
¿Cómo se comporta este MOSFET en condiciones de carga pesada?
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