MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB200N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 898-6870
- Nº ref. fabric.:
- IPB200N25N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 7,305 € | 14,61 € |
| 10 - 18 | 6,58 € | 13,16 € |
| 20 - 48 | 6,215 € | 12,43 € |
| 50 - 98 | 5,77 € | 11,54 € |
| 100 + | 5,34 € | 10,68 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 898-6870
- Nº ref. fabric.:
- IPB200N25N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 64nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 9.45 mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 64nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 9.45 mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.31mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 64 A, disipación de potencia máxima de 300 W - IPB200N25N3GATMA1
Este MOSFET de canal N está diseñado para la gestión eficaz de la energía en diversas aplicaciones electrónicas, con una corriente de drenaje continua máxima de 64 A y una tensión nominal de 250 V. Su sólido rendimiento térmico y su baja resistencia a la conexión contribuyen a un rendimiento eléctrico eficaz en un amplio rango de temperaturas, lo que lo hace adecuado para la conmutación de alta frecuencia y la rectificación síncrona.
Características y ventajas
• El producto óptimo de carga de puerta x RDS(on) mejora la eficiencia
• La baja resistencia a la conexión minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento
• Temperatura de funcionamiento de hasta +175 °C para diversas aplicaciones
• Cumple las normas RoHS y de ausencia de halógenos para un uso respetuoso con el medio ambiente
• El diseño compacto D2PAK y el montaje en superficie facilitan la integración
• Cualificado según JEDEC para fiabilidad en aplicaciones de destino
Aplicaciones
• Se utiliza en fuentes de alimentación para sistemas de automatización
• Apropiado para convertidores de alta eficiencia en energías renovables
• Empleado en el control de motores para maquinaria industrial
• Ideal para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de sobremesa
• Aplicado en vehículos eléctricos para una gestión eficaz de la energía
¿Qué medidas deben tomarse para garantizar un rendimiento óptimo durante la instalación?
Es importante mantener un sistema de gestión térmica eficaz para disipar el calor y garantizar que el dispositivo funcione dentro de los límites de temperatura especificados.
¿Puede utilizarse este componente en aplicaciones que requieran una conmutación rápida?
Sí, es adecuado para aplicaciones de alta frecuencia, como convertidores CC-CC y controladores, gracias a su capacidad de conmutación rápida.
¿Existe un diseño de circuito específico recomendado para un uso óptimo?
Un circuito controlador de puerta adecuado puede mejorar el rendimiento, sobre todo en términos de tiempos de encendido y apagado, lo que ayuda a reducir las pérdidas por conmutación.
¿Qué hay que tener en cuenta en relación con las condiciones ambientales durante el funcionamiento?
Asegúrese de colocarlo en un entorno donde las temperaturas permanezcan dentro de sus límites operativos de -55°C a +175°C para evitar la degradación térmica.
¿Cómo se comporta este MOSFET en condiciones de carga pesada?
Maneja eficientemente una corriente de drenaje continua de 64 A mientras mantiene una baja resistencia de encendido, reduciendo así el sobrecalentamiento y mejorando la fiabilidad bajo carga.