MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB200N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 898-6870
Nº ref. fabric.:: IPB200N25N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB200N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

14,35 €

(exc. IVA)

17,364 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

Disponible

Disponible(s) 2264 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
2 +	7,175 €	14,35 €

*precio indicativo

Código RS:: 898-6870
Nº ref. fabric.:: IPB200N25N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	64A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	250V
	Encapsulado	TO-263
	Serie	OptiMOS 3
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	20mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	64nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Disipación de potencia máxima Pd	300W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	4.57mm
	Anchura	9.45mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.31mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 64A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V
	Encapsulado TO-263
	Serie OptiMOS 3
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 64nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Disipación de potencia máxima Pd 300W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 4.57mm
	Anchura 9.45mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.31mm
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 64 A, disipación de potencia máxima de 300 W - IPB200N25N3GATMA1

Este MOSFET de canal N está diseñado para la gestión eficaz de la energía en diversas aplicaciones electrónicas, con una corriente de drenaje continua máxima de 64 A y una tensión nominal de 250 V. Su sólido rendimiento térmico y su baja resistencia a la conexión contribuyen a un rendimiento eléctrico eficaz en un amplio rango de temperaturas, lo que lo hace adecuado para la conmutación de alta frecuencia y la rectificación síncrona.

Características y ventajas

• El producto óptimo de carga de puerta x RDS(on) mejora la eficiencia

• La baja resistencia a la conexión minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento

• Temperatura de funcionamiento de hasta +175 °C para diversas aplicaciones

• Cumple las normas RoHS y de ausencia de halógenos para un uso respetuoso con el medio ambiente

• El diseño compacto D2PAK y el montaje en superficie facilitan la integración

• Cualificado según JEDEC para fiabilidad en aplicaciones de destino

Aplicaciones

• Se utiliza en fuentes de alimentación para sistemas de automatización

• Apropiado para convertidores de alta eficiencia en energías renovables

• Empleado en el control de motores para maquinaria industrial

• Ideal para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de sobremesa

• Aplicado en vehículos eléctricos para una gestión eficaz de la energía

¿Qué medidas deben tomarse para garantizar un rendimiento óptimo durante la instalación?

Es importante mantener un sistema de gestión térmica eficaz para disipar el calor y garantizar que el dispositivo funcione dentro de los límites de temperatura especificados.

¿Puede utilizarse este componente en aplicaciones que requieran una conmutación rápida?

Sí, es adecuado para aplicaciones de alta frecuencia, como convertidores CC-CC y controladores, gracias a su capacidad de conmutación rápida.

¿Existe un diseño de circuito específico recomendado para un uso óptimo?

Un circuito controlador de puerta adecuado puede mejorar el rendimiento, sobre todo en términos de tiempos de encendido y apagado, lo que ayuda a reducir las pérdidas por conmutación.

¿Qué hay que tener en cuenta en relación con las condiciones ambientales durante el funcionamiento?

Asegúrese de colocarlo en un entorno donde las temperaturas permanezcan dentro de sus límites operativos de -55°C a +175°C para evitar la degradación térmica.

¿Cómo se comporta este MOSFET en condiciones de carga pesada?

Maneja eficientemente una corriente de drenaje continua de 64 A mientras mantiene una baja resistencia de encendido, reduciendo así el sobrecalentamiento y mejorando la fiabilidad bajo carga.