MOSFET Infineon IPB200N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-8068
Nº ref. fabric.:: IPB200N25N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB200N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

4884 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

5,008 €

(exc. IVA)

6,06 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 +	5,008 €	5.008,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-8068
Nº ref. fabric.:: IPB200N25N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

Los productos OptiMOS™ de 250 V de Infineon son tecnologías de referencia líderes en rendimiento, perfectamente adecuadas para rectificación síncrona en sistemas de 48 V, convertidores dc-dc, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) e inversores para accionamientos de motor dc.

Resumen de las características

•R DS(on) más bajo del sector

•Q g y Q gd más bajo

•Conformidad RoHS con el FOM más bajo del mundo, sin halógenos, con calificación MSL 1

Ventajas

•Máxima eficacia

•Máxima densidad de potencia

•Mínimo espacio de ocupación en placa

•Requiere mínima conexión en paralelo de dispositivos

•Mejora de costes del sistema

•Respetuoso con el medio ambiente

•Productos de fácil diseño

Aplicaciones potenciales

•Rectificación síncrona para SMPS ac-dc

•Control de motor para sistemas de 48 V–110 V

•Convertidores dc-dc aislados

•Iluminación para redes de 110 V ac

•Lámparas HID

•Amplificadores de audio de clase D

•Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI)

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	250 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	20 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	300 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	9.45mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	64 nC a 10 V
Longitud	10.31mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Altura	4.57mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C