MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 64 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 165-8068
- Nº ref. fabric.:
- IPB200N25N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
3.758,00 €
(exc. IVA)
4.547,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Disponible(s) 2000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 3,758 € | 3.758,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-8068
- Nº ref. fabric.:
- IPB200N25N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 64nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 9.45mm | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 64nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 9.45mm | ||
Longitud 10.31mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 64 A, disipación de potencia máxima de 300 W - IPB200N25N3GATMA1
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Qué medidas deben tomarse para garantizar un rendimiento óptimo durante la instalación?
¿Puede utilizarse este componente en aplicaciones que requieran una conmutación rápida?
¿Existe un diseño de circuito específico recomendado para un uso óptimo?
¿Qué hay que tener en cuenta en relación con las condiciones ambientales durante el funcionamiento?
¿Cómo se comporta este MOSFET en condiciones de carga pesada?
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263-7 de 7 pines
- MOSFET VDSS 55 V TO-263
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-263 de 3 pines
