MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS7437TRLPBF, VDSS 40 V, ID 250 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 872-4206
Nº ref. fabric.:: IRFS7437TRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS7437TRLPBF, VDSS 40 V, ID 250 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:: 872-4206
Nº ref. fabric.:: IRFS7437TRLPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	250A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.8mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	150nC
	Disipación de potencia máxima Pd	230W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	4.83mm
	Longitud	10.67mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 250A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.8mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC
	Disipación de potencia máxima Pd 230W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 4.83mm
	Longitud 10.67mm
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 250 A, disipación de potencia máxima de 230 W - IRFS7437TRLPBF

Este MOSFET está pensado para aplicaciones de alto rendimiento que requieren una gestión eficiente de la potencia. Se utiliza en diversos sectores y ofrece características de robustez adecuadas para entornos difíciles. Su capacidad para gestionar altos niveles de corriente y tensión lo hace idóneo para aplicaciones de tecnología avanzada.

Características y ventajas

• Admite una corriente de drenaje continua máxima de 250 A para aplicaciones de alta potencia

• Ofrece una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V, lo que garantiza la fiabilidad en diferentes configuraciones

• Presenta un bajo Rds(on) de 1,4mΩ, lo que contribuye a reducir las pérdidas de potencia

• Diseñado para montaje en superficie, lo que simplifica la instalación

• Capaz de gestionar aplicaciones de conmutación rápida, lo que aumenta la eficacia

Aplicaciones

• Adecuado para motores con escobillas

• Ideal para circuitos alimentados por batería, lo que permite un uso eficiente de la energía

• Utilizado en topologías de medio puente y puente completo para un control preciso

• Utilizado en el rectificador síncrono potenciar el ahorro energético

• Aplicable en fuentes de alimentación de modo resonante para un rendimiento estable

¿Cómo se gestiona la disipación de energía durante el funcionamiento?

La disipación de potencia se gestiona mediante una potencia máxima de 230 W, lo que garantiza la estabilidad térmica en condiciones de carga elevada.

¿Qué significa el bajo valor de Rds(on)?

El bajo valor de Rds(on) minimiza la pérdida de energía durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia en aplicaciones de alta corriente.

¿Puede utilizarse en entornos con altas temperaturas?

Con un rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +175 °C, es adecuado para diversas aplicaciones, incluidos entornos de altas temperaturas.

¿Qué aspectos de la instalación debo tener en cuenta?

Garantizar una gestión térmica adecuada según las especificaciones para mantener la eficiencia y fiabilidad operativas durante aplicaciones intensas.

¿Es compatible con varios diseños de fuentes de alimentación?

Sí, el MOSFET es versátil y puede integrarse en numerosos diseños de fuentes de alimentación, lo que proporciona adaptabilidad en distintos proyectos.