MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS7437TRLPBF, VDSS 40 V, ID 250 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
872-4206
Nº ref. fabric.:
IRFS7437TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

250A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

150nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.83mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 250 A, disipación de potencia máxima de 230 W - IRFS7437TRLPBF


Este MOSFET está pensado para aplicaciones de alto rendimiento que requieren una gestión eficiente de la potencia. Se utiliza en diversos sectores y ofrece características de robustez adecuadas para entornos difíciles. Su capacidad para gestionar altos niveles de corriente y tensión lo hace idóneo para aplicaciones de tecnología avanzada.

Características y ventajas


• Admite una corriente de drenaje continua máxima de 250 A para aplicaciones de alta potencia

• Ofrece una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V, lo que garantiza la fiabilidad en diferentes configuraciones

• Presenta un bajo Rds(on) de 1,4mΩ, lo que contribuye a reducir las pérdidas de potencia

• Diseñado para montaje en superficie, lo que simplifica la instalación

• Capaz de gestionar aplicaciones de conmutación rápida, lo que aumenta la eficacia

Aplicaciones


• Adecuado para motores con escobillas

• Ideal para circuitos alimentados por batería, lo que permite un uso eficiente de la energía

• Utilizado en topologías de medio puente y puente completo para un control preciso

• Utilizado en el rectificador síncrono potenciar el ahorro energético

• Aplicable en fuentes de alimentación de modo resonante para un rendimiento estable

¿Cómo se gestiona la disipación de energía durante el funcionamiento?


La disipación de potencia se gestiona mediante una potencia máxima de 230 W, lo que garantiza la estabilidad térmica en condiciones de carga elevada.

¿Qué significa el bajo valor de Rds(on)?


El bajo valor de Rds(on) minimiza la pérdida de energía durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia en aplicaciones de alta corriente.

¿Puede utilizarse en entornos con altas temperaturas?


Con un rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +175 °C, es adecuado para diversas aplicaciones, incluidos entornos de altas temperaturas.

¿Qué aspectos de la instalación debo tener en cuenta?


Garantizar una gestión térmica adecuada según las especificaciones para mantener la eficiencia y fiabilidad operativas durante aplicaciones intensas.

¿Es compatible con varios diseños de fuentes de alimentación?


Sí, el MOSFET es versátil y puede integrarse en numerosos diseños de fuentes de alimentación, lo que proporciona adaptabilidad en distintos proyectos.

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