MOSFET, N-Canal Infineon IPB600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 826-9204
- Nº ref. fabric.:
- IPB600N25N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (10 unidades, en pack de 10)*
25,40 €
(exc. IVA)
30,70 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 530 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 2,54 € | 25,40 € |
| 20 - 40 | 2,412 € | 24,12 € |
| 50 - 90 | 2,311 € | 23,11 € |
| 100 - 240 | 2,21 € | 22,10 € |
| 250 + | 2,058 € | 20,58 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 826-9204
- Nº ref. fabric.:
- IPB600N25N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 9.45mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.57mm | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 9.45mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.57mm | ||
Longitud 10.31mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS 3 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 250 V, corriente de drenaje continua de 25 A - IPB600N25N3GATMA1
Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conversión de potencia y conmutación en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un rango de temperatura muy amplio y está configurado para implementación de montaje en superficie, lo que ofrece un tamaño compacto para la gestión térmica en montajes donde se requiere un manejo de potencia y un control de puerta robustos.
Características y ventajas:
• La capacidad nominal de drenaje a fuente de 250 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La resistencia de encendido de 60 mΩ reduce las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia
• La corriente de drenaje continua de 25 A admite un funcionamiento de carga alta sostenida
• La disipación de potencia de 136 W permite un manejo térmico significativo en los circuitos
• La carga de puerta de 22 nC proporciona una energía de conmutación y un diseño de accionamiento predecibles
• El límite de fuente de puerta de 20 V permite márgenes de tensión de accionamiento de puerta estándar
• La resistencia de encendido de 60 mΩ reduce las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia
• La corriente de drenaje continua de 25 A admite un funcionamiento de carga alta sostenida
• La disipación de potencia de 136 W permite un manejo térmico significativo en los circuitos
• La carga de puerta de 22 nC proporciona una energía de conmutación y un diseño de accionamiento predecibles
• El límite de fuente de puerta de 20 V permite márgenes de tensión de accionamiento de puerta estándar
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de conmutación primarias SMPS de alta tensión
• Ideal para patas de inversor de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza para convertidores dc-dc en sistemas de alimentación de telecomunicaciones
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y la topología del cargador
• Se emplea en conmutación de alimentación de uso general en placas de montaje en superficie
• Ideal para patas de inversor de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza para convertidores dc-dc en sistemas de alimentación de telecomunicaciones
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y la topología del cargador
• Se emplea en conmutación de alimentación de uso general en placas de montaje en superficie
¿Qué rango térmico puede tolerar durante el funcionamiento?
Está diseñado para funcionar de –55 a 175 °C, lo que permite su uso en entornos con variación extrema de temperatura.
¿Qué tipo de encapsulado facilita el montaje y la transferencia de calor?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-263 que facilita el montaje de soldadura y ofrece una gran almohadilla térmica para la propagación de calor de la resistencia.
¿Cómo se comporta el dispositivo para el diseño de accionamiento de puerta?
La carga de puerta típica de 22 nC proporciona una energía de conmutación cuantificable en función del tamaño de los controladores de puerta y estima las pérdidas de conmutación.
¿Qué rendimiento de conducción deben esperar los diseñadores bajo carga?
Con una resistencia de drenaje-fuente especificada máxima de 60 mΩ, los diseñadores pueden calcular pérdidas de conducción para vías de corriente de hasta 25 A nominales continuas.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263 de 3 pines