MOSFET Infineon IPB600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 826-9204
Nº ref. fabric.:: IPB600N25N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

2,401 €

(exc. IVA)

2,905 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 10	2,401 €	24,01 €
20 - 40	2,282 €	22,82 €
50 - 90	2,185 €	21,85 €
100 - 240	2,089 €	20,89 €
250 +	1,945 €	19,45 €

*precio indicativo

Código RS:: 826-9204
Nº ref. fabric.:: IPB600N25N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	250 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	60 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	136 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	9.45mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	22 nC a 10 V
Longitud	10.31mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.57mm